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MJE5850G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 8 A, 80 W, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE5850G복사
주문 코드1459093
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max300V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
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제품 개요
The MJE5850G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical.
애플리케이션
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00381