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NTBG022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBG022N120M3S복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드4036812
Product RangeEliteSiC Series
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제조업체 표준 리드 타임: 10주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩24,582 |
| 5+ | ₩22,423 |
| 10+ | ₩20,264 |
| 50+ | ₩19,666 |
| 100+ | ₩19,067 |
| 250+ | ₩18,686 |
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주문 배수수량: 1
₩24,582
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBG022N120M3S복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드4036812
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002