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NTBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩21,542 |
| 5+ | ₩19,388 |
| 10+ | ₩18,239 |
| 50+ | ₩16,947 |
| 100+ | ₩15,798 |
| 250+ | ₩15,223 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBG040N120M3S복사
제조업체 표준 리드 타임1주
주문 코드4143095
기술 데이터 시트
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001743