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NTBL045N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL045N065SC1복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
풀릴4068153
리릴링4051293RL
컷 테이프4051293
Product RangeEliteSiC Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 리릴링 | 1 | ₩25,938 | ₩25,938 |
| 총계 가격 | ₩25,938 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩25,938 |
| 50+ | ₩24,168 |
| 100+ | ₩22,396 |
| 500+ | ₩22,222 |
| 1000+ | ₩20,916 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,878 |
| 10+ | ₩13,741 |
| 25+ | ₩13,211 |
| 50+ | ₩12,681 |
| 100+ | ₩12,150 |
| 250+ | ₩11,856 |
| 500+ | ₩11,562 |
| 1000+ | ₩11,559 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL045N065SC1복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
풀릴4068153
리릴링4051293RL
컷 테이프4051293
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
73A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001047