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NTBL060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL060N065SC1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링4472904RL
컷 테이프4472904
Product RangeEliteSiC Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩16,057 | ₩16,057 |
| 총계 가격 | ₩16,057 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩16,057 |
| 5+ | ₩13,150 |
| 10+ | ₩10,243 |
| 50+ | ₩9,251 |
| 100+ | ₩8,258 |
| 250+ | ₩8,093 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL060N065SC1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링4472904RL
컷 테이프4472904
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001