페이지 인쇄
NTBL075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL075N065SC1
주문 코드4472905
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
139W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001