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NTH4L022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTH4L022N120M3S
주문 코드3872098
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
EliteSiC Series
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004