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NTH4L075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
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| 제조업체 | ONSEMI |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | NTH4L075N065SC1복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10주 |
| 주문 코드 | 4036814 |
| Product Range | EliteSiC Series |
| 귀하의 부품 번호 | |
| 기술 데이터 시트 |
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩12,787 |
| 5+ | ₩10,695 |
| 10+ | ₩8,603 |
| 50+ | ₩8,237 |
| 100+ | ₩7,871 |
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₩12,787
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제품 정보
| 제조업체 | ONSEMI |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | NTH4L075N065SC1복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10주 |
| 주문 코드 | 4036814 |
| Product Range | EliteSiC Series |
| 기술 데이터 시트 | |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Channel Type | N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 38A |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Drain Source On State Resistance | 0.057ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.8V |
| Power Dissipation | 148W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | EliteSiC Series |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
기술 사양
| MOSFET Module Configuration | Single |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 38A |
| Drain Source On State Resistance | 0.057ohm |
| No. of Pins | 4Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.8V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Power Dissipation | 148W |
| Product Range | EliteSiC Series |
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
| 원산지: 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지: | China 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가 |
|---|---|
| 관세 번호: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| RoHS 준수: | 예 RoHS |
| RoHS 프탈레이트 준수: | 예 RoHS |
| SVHC: | Lead (04-Feb-2026) |
| 제품 준수 증명서 다운로드 | 제품 준수 증명서 |
| 무게(kg): | .008422 |