페이지 인쇄
NTHL022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
132 재고
더 필요하세요?
132 11-13 영업일 이내 배송(미국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩43,674 |
| 5+ | ₩39,306 |
| 10+ | ₩36,977 |
| 50+ | ₩34,357 |
| 100+ | ₩32,027 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩43,674
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTHL022N120M3S복사
제조업체 표준 리드 타임1주
주문 코드4143102
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Transistor Case Style
TO-247
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00831