페이지 인쇄
NTMFS6H824NLT1G
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 21주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,035 |
| 10+ | ₩2,585 |
| 100+ | ₩1,765 |
| 500+ | ₩1,498 |
| 1000+ | ₩1,192 |
| 5000+ | ₩1,169 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩4,035
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTMFS6H824NLT1G복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
컷 테이프4317972
컷 테이프4317972RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation116W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
116W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000013