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NTR4101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 100 | ₩254 | ₩25,400 |
| 총계 가격 | ₩25,400 | ||
컷 테이프
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩254 |
| 500+ | ₩170 |
| 1500+ | ₩167 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩133 |
| 9000+ | ₩131 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4101PT1G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴2317885
컷 테이프1431303
컷 테이프1431303RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTR4101PT1G is a P-channel Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.4A continuous drain current. It is suitable for charging circuits and battery protection, load management for portables and computing applications.
- Leading -20V Trench for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000045