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NVBG023N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG023N065M3S복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링4583074RL
컷 테이프4583074
Product RangeEliteSiC Series
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩22,494 | ₩22,494 |
| 총계 가격 | ₩22,494 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩22,494 |
| 5+ | ₩17,972 |
| 10+ | ₩13,450 |
| 50+ | ₩13,181 |
| 100+ | ₩12,912 |
| 250+ | ₩12,643 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG023N065M3S복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링4583074RL
컷 테이프4583074
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
EliteSiC Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001