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NVBG040N120M3S-IE
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 57 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, D2PAK
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG040N120M3S-IE복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링4854143RL
컷 테이프4854143
Product RangeEliteSiC Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩30,241 | ₩30,241 |
| 총계 가격 | ₩30,241 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩30,241 |
| 5+ | ₩25,939 |
| 10+ | ₩21,636 |
| 50+ | ₩20,541 |
| 100+ | ₩19,446 |
| 250+ | ₩19,058 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG040N120M3S-IE복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링4854143RL
컷 테이프4854143
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
57A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.01