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NVBG080N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263HV-7
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG080N120SC1복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드4382111
Product RangeEliteSiC Series
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩35,350 |
| 5+ | ₩31,815 |
| 10+ | ₩29,929 |
| 50+ | ₩27,808 |
| 100+ | ₩25,923 |
| 250+ | ₩24,980 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG080N120SC1복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드4382111
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000907