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NVBLS1D2N08XTXG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩7,830 | ₩7,830 |
| 총계 가격 | ₩7,830 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩7,830 |
| 10+ | ₩5,538 |
| 100+ | ₩4,841 |
| 500+ | ₩4,783 |
| 1000+ | ₩4,782 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBLS1D2N08XTXG복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
리릴링4750165RL
컷 테이프4750165
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id299A
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleH-PSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation197W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
299A
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
197W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001