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NVMFD5C650NLWFT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0042 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩10,275 | ₩10,275 |
| 총계 가격 | ₩10,275 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,275 |
| 10+ | ₩6,556 |
| 100+ | ₩4,933 |
| 500+ | ₩4,555 |
| 1000+ | ₩4,464 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVMFD5C650NLWFT1G복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링2835607RL
컷 테이프2835607
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel111A
Continuous Drain Current Id P Channel111A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel125W
Power Dissipation P Channel125W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
111A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
125W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
111A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0042ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000012