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NXH003P120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 5000 µohm, Module
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제조업체 표준 리드 타임: 14주
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|---|---|
| 1+ | ₩351,171 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH003P120M3F2PTHG복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드4305078
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5000µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation979W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
350A
Drain Source On State Resistance
5000µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
979W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.049895