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NXH004P120M3F2PNG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH004P120M3F2PNG복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드4472915
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id338A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation1.098kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
338A
Drain Source On State Resistance
5500µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
1.098kW
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.039916