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NXH011F120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH011F120M3F2PTHG
주문 코드4472918
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation244W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
105A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
244W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001