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NXH040P120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
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| 제조업체 | ONSEMI |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | NXH040P120MNF1PTG복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14주 |
| 주문 코드 | 3973634 |
| 귀하의 부품 번호 | |
| 기술 데이터 시트 |
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩106,857 |
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| 10+ | ₩90,472 |
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제품 정보
| 제조업체 | ONSEMI |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | NXH040P120MNF1PTG복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 14주 |
| 주문 코드 | 3973634 |
| 기술 데이터 시트 | |
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Drain Source On State Resistance | 0.042ohm |
| No. of Pins | 18Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 20V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.81V |
| Power Dissipation | 74W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
기술 사양
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| Drain Source On State Resistance | 0.042ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 20V |
| Power Dissipation | 74W |
| Product Range | - |
| Channel Type | Dual N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| No. of Pins | 18Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.81V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
기술 문서 (1)
법률 및 환경
| 원산지: 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지: | Malaysia 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가 |
|---|---|
| 관세 번호: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| RoHS 준수: | 예 RoHS |
| RoHS 프탈레이트 준수: | 예 RoHS |
| SVHC: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| 제품 준수 증명서 다운로드 | 제품 준수 증명서 |
| 무게(kg): | .023315 |
