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NXH040P120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH040P120MNF1PTG
주문 코드3973634
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.042ohm
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation74W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
74W
Product Range
-
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.09