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NXV08V110DB1
MOSFET Transistor, 80 V, 1700 µohm, 10 V, 4 V
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXV08V110DB1
주문 코드3617528
기술 데이터 시트
Channel Type-
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance1700µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
기술 사양
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.1