페이지 인쇄
SMMUN2114LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SMMUN2114LT1G
주문 코드2724481RL
기술 데이터 시트
Digital Transistor PolaritySingle PNP
Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current Ic-100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.21(Ratio)
RF Transistor CaseSOT-23
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Digital Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
RF Transistor Case
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-50V
Continuous Collector Current Ic
-100mA
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
0.21(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
SMMUN2114LT1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000002