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SNXH800H120L7QDSG
IGBT Module, Half Bridge, 800 A, 1.65 V, 175 °C, PIM
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호SNXH800H120L7QDSG
주문 코드4750182
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current800A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
800A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:추후 공고함
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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무게(kg):.000001