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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호R1LP0108ESA-5SI#S1
주문 코드4146917
기술 데이터 시트
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density1Mbit
Memory Configuration128Kword x 8bit
IC Case / PackageSTSOP
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max5.5V
Supply Voltage Nom5V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
R1LP0108ESA-5SI#S1 R1LP0108E series is a low voltage 1Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0. 15um CMOS and TFT technologies. The R1LP0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LP0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 4.5V to 5.5V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (5.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
기술 사양
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Configuration
128Kword x 8bit
No. of Pins
32Pins
Supply Voltage Max
5.5V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Mbit
IC Case / Package
STSOP
Supply Voltage Min
4.5V
Supply Voltage Nom
5V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001