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RBA160N10EANS-4UA03#HB0
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 160 A, 0.0029 ohm, SO-8 FL, Surface Mount
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제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RBA160N10EANS-4UA03#HB0복사
주문 코드
컷 테이프4824464
컷 테이프4824464RL
Product RangeREXFET-1 Series
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,608 |
| 10+ | ₩3,568 |
| 100+ | ₩2,390 |
| 500+ | ₩1,909 |
| 1000+ | ₩1,588 |
| 5000+ | ₩1,564 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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₩5,608
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RBA160N10EANS-4UA03#HB0복사
주문 코드
컷 테이프4824464
컷 테이프4824464RL
Product RangeREXFET-1 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance0.0029ohm
Transistor Case StyleSO-8 FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation165W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeREXFET-1 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Transistor Case Style
SO-8 FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
165W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
REXFET-1 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001