페이지 인쇄
RBE015N10R1SZPV#GB0
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RBE015N10R1SZPV#GB0복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드
컷 테이프4824472
컷 테이프4824472RL
Product RangeREXFET-1 Series
귀하의 부품 번호
1,218 재고
더 필요하세요?
1,218 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩7,254 |
| 10+ | ₩3,781 |
| 100+ | ₩3,433 |
| 500+ | ₩3,058 |
| 1000+ | ₩2,884 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩7,254
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RBE015N10R1SZPV#GB0복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드
컷 테이프4824472
컷 테이프4824472RL
Product RangeREXFET-1 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id340A
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation468W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeREXFET-1 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
340A
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
9Pins
Product Range
REXFET-1 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
468W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001