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RBE039N15R1SZQ4#GB0
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 190 A, 3900 µohm, TOLL, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩5,727 |
| 50+ | ₩4,495 |
| 250+ | ₩3,878 |
| 500+ | ₩3,498 |
| 1000+ | ₩3,411 |
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RBE039N15R1SZQ4#GB0복사
주문 코드5155258
Product RangeREXFET-1 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation319W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeREXFET-1 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190A
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
319W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
REXFET-1 Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001