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RQJ0602EGDQA#H6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.1 A, 0.613 ohm, SOT-23, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RQJ0602EGDQA#H6복사
주문 코드2135187
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.613ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
RQJ0602EGDQA#H6의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.613ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000011