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BST91B1P4K01-VC
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Four N Channel, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호BST91B1P4K01-VC
주문 코드4840752
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleHSDIP
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HSDIP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
385W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.01