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R6004KNXC7G
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-220FM, Through Hole
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호R6004KNXC7G복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드4158110
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.98ohm
Transistor Case StyleTO-220FM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220FM
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.98ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001