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R6018VNXC7G
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,807 |
| 10+ | ₩3,574 |
| 100+ | ₩3,070 |
| 500+ | ₩2,887 |
| 1000+ | ₩2,684 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호R6018VNXC7G
주문 코드3957611
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.204ohm
Transistor Case StyleTO-220FM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220FM
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.204ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001