페이지 인쇄
R6022YNXC7G
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
100 재고
더 필요하세요?
100 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,647 |
| 10+ | ₩3,264 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩4,647
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호R6022YNXC7G복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드4168769
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
Transistor Case StyleTO-220FM
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-220FM
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00187