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R6070JNZ4C13
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 70 A, 0.058 ohm, TO-247G, Through Hole
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호R6070JNZ4C13복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드3702495
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-247G
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation770W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-247G
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
770W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.008475