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RD3S100CNTL1
Power MOSFET, N Channel, 190 V, 10 A, 0.182 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 20주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,028 | ₩5,028 |
| 총계 가격 | ₩5,028 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,028 |
| 10+ | ₩3,263 |
| 100+ | ₩2,254 |
| 500+ | ₩1,829 |
| 1000+ | ₩1,655 |
| 5000+ | ₩1,622 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RD3S100CNTL1복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링3214727RL
컷 테이프3214727
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds190V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.182ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
190V
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000006