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RF9L120BLFRATCR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,419 | ₩2,419 |
| 총계 가격 | ₩2,419 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,419 |
| 10+ | ₩1,541 |
| 100+ | ₩1,023 |
| 500+ | ₩804 |
| 1000+ | ₩643 |
| 5000+ | ₩625 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RF9L120BLFRATCR복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드
리릴링4734183RL
컷 테이프4734183
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleDFN2020Y
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation23W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
DFN2020Y
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000007