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RH7G04BBJFRATCB
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 40 A, 0.0119 ohm, WFDFN3333, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,751 | ₩3,751 |
| 총계 가격 | ₩3,751 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,751 |
| 10+ | ₩2,412 |
| 100+ | ₩1,640 |
| 500+ | ₩1,306 |
| 1000+ | ₩1,112 |
| 5000+ | ₩1,095 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RH7G04BBJFRATCB복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링4706918RL
컷 테이프4706918
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0119ohm
Transistor Case StyleWFDFN3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation75W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
WFDFN3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0119ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000006