페이지 인쇄
RUF025N02FRATL
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.5 A, 0.054 ohm, TUMT, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
3,000 재고
더 필요하세요?
3,000 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,198 | ₩1,198 |
| 총계 가격 | ₩1,198 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,198 |
| 10+ | ₩579 |
| 100+ | ₩408 |
| 500+ | ₩360 |
| 1000+ | ₩331 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RUF025N02FRATL복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링2769555RL
컷 테이프2769555
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleTUMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
메모
This product is available for evaluation and design in. Please contact your local ROHM office when planning to approve this device.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TUMT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
RUF025N02FRATL의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001