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RX3N10BBHC16
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩11,055 |
| 10+ | ₩5,946 |
| 100+ | ₩5,456 |
| 500+ | ₩4,909 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RX3N10BBHC16복사
제조업체 표준 리드 타임23주
주문 코드4633515
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation189W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
225A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
189W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001