페이지 인쇄
RZF030P01TL
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,428 재고
더 필요하세요?
2,428 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,640 |
| 10+ | ₩1,061 |
| 100+ | ₩713 |
| 500+ | ₩551 |
| 1000+ | ₩384 |
| 5000+ | ₩377 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,640
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RZF030P01TL복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드2143954
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTUMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max300mV
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The RZF030P01TL is a P-channel silicon MOSFET offers -12V drain source voltage and ±3A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- High power package
- 1.5V Low drive voltage
애플리케이션
Power Management, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TUMT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
300mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003316