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SCT2750NYTB
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 6 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, 18 V, 2.8 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SCT2750NYTB복사
주문 코드2772413
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
No. of Pins2Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation57W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
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기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
No. of Pins
2Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
57W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004695