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SCT3080ALGC11
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
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|---|---|
| 1+ | ₩23,172 |
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| 10+ | ₩16,800 |
| 50+ | ₩15,062 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SCT3080ALGC11
주문 코드2678786
AKASCT3080ALGC11
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation134W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
134W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005