페이지 인쇄
SH8K26GZ0TB1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,520 재고
더 필요하세요?
2,520 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,880 |
| 10+ | ₩1,380 |
| 100+ | ₩1,233 |
| 500+ | ₩979 |
| 1000+ | ₩797 |
| 5000+ | ₩782 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,880
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8K26GZ0TB1복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드3976638
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SH8K26GZ0TB1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00005