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US6M2TR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.24 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,344 |
| 10+ | ₩841 |
| 100+ | ₩549 |
| 500+ | ₩425 |
| 1000+ | ₩384 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호US6M2TR복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드1680416
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.24ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.39ohm
Transistor Case StyleTUMT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.39ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.24ohm
Transistor Case Style
TUMT
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006