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UT6JC5TCR
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A
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|---|---|
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호UT6JC5TCR
주문 코드3639777RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.28ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleDFN2020
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
DFN2020
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.28ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000074