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SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체SEMIKRON
제조업체 부품 번호SKM200GB125D복사
제조업체 표준 리드 타임25주
주문 코드2423692
AKA22890620, 22890620
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
제품 개요
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Continuous Collector Current
200A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Slovak Republic
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Slovak Republic
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.18