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GD100HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD100HFY120C1S
주문 코드2986060
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current155A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation511W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
경고
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기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
155A
Power Dissipation
511W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.156399