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GD650HFX170P1S
IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD650HFX170P1S
주문 코드3549271
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current1.073kA
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation4.2kW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
1.073kA
Power Dissipation
4.2kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.2