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GD75HFU120C1SD
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Module
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD75HFU120C1SD
주문 코드4312704
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2.8V
Power Dissipation484W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
484W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.15