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2N2219A
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 800 mW, TO-39, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호2N2219A복사
주문 코드9801260
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
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제품 개요
The 2N2219A from STMicroelectronics is a through hole NPN silicon planar epitaxial transistor in TO-39 package. This transistor designed as high speed switch which features low leakage currents, low saturation voltage and useful current gain over a wide range of collector current. Typically suitable for high speed switching application.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 40V
- Collector current (Ic) is 0.6A
- Power dissipation (Pd) is 3W
- Collector to emitter saturation voltage of 1V at 500mA collector current
- DC current gain (hFE) of 35 at 0.1mA collector current
- Operating junction temperature range from 175°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
TO-39
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
800mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0024