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BD135
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Through Hole
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제품 정보
제조업체 부품 번호BD135복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드9801529
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation1.25W
Transistor Case StyleTO-126
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min250hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BD135 is a NPN low voltage Transistor built in epitaxial planar technology. Designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.
- Complement to BD136
- 0.5A Base current
- 10°C/W Junction-to-case thermal resistance
- 100°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
애플리케이션
Audio
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
TO-126
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
1.25W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00064